عنوان المقالة:تحضير وتوصيف كاربيد السيليكون بواسطة الترسيب بالليزر النبضي كخلايا شمسية غير متجانسة Preparation and Characterization of Silicon Carbide by Pulse Laser Deposition as Heterojunction Solar Cell
Mohammed Taha Yaseen, Mazin H. Hasan, Mazin A. Alalousi
الملخص العربي
تم تحضير الأغشية الرقيقة من كربيد السيليكون (SiC) ذات التراكيب النانوية باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي في درجة حرارة الغرفة بطاقات ليزر مختلفة لتحسين جودة الاغشية. تم تحديد الخصائص التركيبية للأغشية المحضرة من خلال أنماط حيود الأشعة السينية ، والفحص المجهري للقوة الذرية ، والتحليل الطيفي المرئي للأشعة فوق البنفسجية ، ومنحنى خصائص الجهد - التيار. أظهرت النتائج أنه يمكن تحضير أغشية كربيد السيليكون ذات الجودة العالية بتقنية الترسيب بالليزر النبضي على السيليكون p-Si (111). أظهر حيود الأشعة السينية للأغشية المحضرة بنية غير متبلورة تحولت إلى متعدد البلورات عندما تصلب إلى 400 درجة مئوية. يمكن أن نرى من خصائص I-V للخلية الشمسية SiC / Si أن كثافة التيار الضوئي زادت مع زيادة جهد التحيز. كما أظهرت الدراسة أن عامل الهبوط الأعلى كان (0.46) والكفاءة كانت (3.46).
الملخص الانجليزي
Silicon Carbide (SiC) thin-film nanostructures were prepared by using the pulse laser deposition technique at room temperature with varying lasing energies to optimize the quality of the films. Structural properties of the prepared films were identified by X-Ray diffraction patterns, atomic force microscopy, UV-visible spectroscopy, and the current-voltage characteristic curve. The results showed that good quality silicon carbide films can be prepared by pulsed laser deposition technique on silicon p-Si (111). The X-ray diffraction of the prepared films showed an amorphous structure that turned into polycrystalline when annealed to 400oC. It can be seen from I-V characteristics of SiC/Si solar cell that the photocurrent density increased with increasing bias voltage. Moreover, the study showed that the higher falling factor was (0.46) and efficiency was (3.46).
د. مازن عبد الحميد عبد القادر الآلوسي | Mazin A. Al-alousi | 8986