• تفاصيل التسجيل
  • تاريخ التسجيل: سنة

  • المهارات
  • Microsoft Office البحث في الويب آردوينو الإلكترونيات الهندسة الفيزياء البحث العلمي بايثون C++ Programming LabVIEW Matlab & Mathematica

  • الجامعة / المؤسسة
  • جامعة المنستير

من نفس الجامعة : 12
عرض الجميع

الموقع الشخصي

  • احصائيات الانشطة
  • معامل التواصل العلمي:1.04
  • نقاط النشاط التواصلي:1.35
  • عدد الزيارات:1231
  • عدد الاعجابات :0
  • المواضيع:0
  • المتابعون:1
  • المسجلون عبر هذا الحساب :1

المُتابعون:1


نبذة مختصرة

Dr. Abdelaali Fargi received his PhD in Physics of Semiconductor Devices and Electronics from Faculty of Sciences of Monastir (Tunisia) in 2016, the Master of Science Degree in Materials Science and Nanostructures from Faculty of Sciences of Monastir, Tunisia, in 2010. He received Bachelor of Science in Physics from Faculty of Sciences of Monastir, Tunisia, in 2008. He received Technical Diploma in Electronic Engineering from Higher Institute of Applied Sciences and Technology of Sousse, Tunisia, in 2006. Currently, he is a Postdoctoral Researcher in the University of Monastir. Dr. Abdelaali Fargi is a well respected Researcher in the field of Semiconductor Devices, Nanotechnology and its Applications. He has made many contributions in the field of defect characterization in MOSFET, MOS based Photo-SET Sensor, Quantum Dot based HEMT structures, MIM structures, Power devices, etc.…Setting up and Programming the whole experimental setup in the lab at the University of Monastir. His PhD research focused on electrical characterization of parasitic effects on the characteristics of the indium-doped silicon MOSFETs for sub-micron technology applications. His main areas of research are electrical characterization of semiconductor devices and simulation (TCAD and Other tools) and modelling of new emerging devices. In 2020, He served as a Postdoctoral Researcher in the Center for Research in Microelectronics and Nanotechnology of Sousse (TUNISIA) under a federal PACTE Project in which he focused on making a smart gas sensor using embedded systems and IoT for Civil and Military Applications.


المؤهلات الاكاديمية

دكتوراه

التخصص:العلوم
الدكتوراه في الفيزياء و الإلكترونيات الدقيقة
15/09/2011 - 17/12/2016

الماجستير

التخصص:العلوم
ماجستير بحث في إختصاص مواد نانوهياكل أجهزة وأنظمة الإلكترونيك الدقيقة
15/09/2008 - 30/06/2010

بكالوريوس

التخصص:العلوم
الأستاذية في الفيزياء الأساسية
15/09/2006 - 30/06/2008

دبلومة

التخصص:الهندسة
الشهادة الجامعية للتكنولوجيا في الهندسة الإلكترونية
15/09/2003 - 15/07/2006


النشاطات الأكاديمية

نموذج تحليلي يعتمد على درجة الحرارة لجهد عتبة SiC VJFET بقناة جانبية غير متماثلة

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
21/06/2021

النمذجة الكهروحرارية للهياكل غير المتجانسة القائمة على الآبار الكمومية InxGa1-xN / GaN

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
09/01/2019

الخواص الكهربائية والعازلة التي تعتمد على درجات الحرارة العالية والجهد العالي لهيكل TiN / Al2O3 / p-Si MIS

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
19/04/2017

المساهمة المهمة للشحنات المولدة بالصور في وقت شحن / تفريغ صور البلورات النانوية السليكونية في درجة حرارة الغرفة في أجهزة الكشف الضوئية MOS

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
05/04/2016

توصيف خامات ZnO الرقيقة التي تزرع على ركيزة p-Si مختلفة تم تطويرها بواسطة طريقة طلاء الدوران المغزلي

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
04/06/2015

تحليل العلاقة بين تأثير kink ومستويات الإنديوم في ترانزستورات MOS

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
07/09/2013

التحليل الكهربائي لتأثيرات مستويات الإنديوم العميقة على ظواهر شبك السليكون NMOSFETs

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
15/07/2013

التحقيق في تأثير kink في السيليكون المشبع بالإنديوم لتكنولوجيا MOSFET الفرعية 100 نانومتر N قناة

نشر بحث في مجلة
الدولة:تونس
29/04/2013