عنوان المقالة: The Engineering of Optical Energy Gap with Composition in (ZnS)x (CdTe)1-x Thin Films
ا.د سلوان كمال جميل العاني | Prof.Salwan K.J.Al-Ani (Ph.D) FInstP | 28215
- نوع النشر
- مؤتمر علمي
- المؤلفون بالعربي
- المؤلفون بالإنجليزي
- A.KH.BA-YASHOOT, S.K.J.AL-ANI, and A.M.AL-SHARBATY
- الملخص العربي
- يمكن تصميم فجوة الطاقة الضوئية (على سبيل المثال) للأغشية الرقيقة المرسبة والملدنة (ZnS) x (CdTe) 1-x للمدى 0-1. أظهر Eg ، انخفاضًا في قيمته مع زيادة CdTe في الأغشية مع زيادة طفيفة في حالة الأغشية الملدنة ذات الصلة al 473K لمدة ساعة واحدة. تم التحقق من المعادلات المناسبة لـ Eg فيما يتعلق بالتركيب (x) . تم أيضًا تحديد قيمة عرض ذيول الحالات الموضعية في الفجوة Eg وأظهرت تقلبًا وفقًا للمحتوى x تم الحصول على نموذج مقترح لكثافة حالات هذه الأفلام
- الملخص الانجليزي
- The optical energy gap (Eg ) of the as deposited and annealed (ZnS)x (CdTe)1-x thin films could be designed for the range 0-1. The Eg, showed a decrease in its value as CdTe increased in the films with slight increase in the case of respective annealed films al 473K for one hour. Suitable equations to Eg with respect to the composition (x) have been investigated. The value of the width of tails of localized states in the gap Eg was also determined and showed a fluctuation according to the content x. A suggested model of the density of states of these films obtained.
- تاريخ النشر
- 03/01/2004
- الناشر
- King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia.
- رقم المجلد
- 2
- رقم العدد
- 2
- الصفحات
- 295-300
- رابط الملف
- تحميل (1 مرات التحميل)
- الكلمات المفتاحية
- energy gap, (ZnS)x (CdTe)1-x , annealed films, localized states,