عنوان المقالة: دراسة تاثیر التلدین والتشویب بـ Zn في الخواص التركیبیة والبصریة لأغشیة CdTe الرقیقة The Study of Annealing and Dopping Effect of Zn on Structural and Optical Properties for CdTe Thin Films
حضرت أغشیة
للقاعدة المرسب علیها. R.T. 2±0.1 ) المرسبة على ق ا وعد زجاجیة بطریقة التبخیر الح ا رري بالف ا رغ عند ) nm ترسیب
673,623,573,523 ) مدة ساعة واحدة . )K وجرى تلدین النماذج عند درجة ح ا ررة
.XRD وقد تمت د ا رسة الخصائص التركیبیة للاغشیة المحضرة المشوبة وغیر المشوبة باعتماد حیود الاشعة السینیة
فوجد ان تركیب الاغشیة كان متعدد البلوا رت وامتلاكها تركیباً مكعباً مع هیمنة الاتجاه [ 111 ] للأغشیة غیر المشوبة
ا ولمشوبة بنسبة ( 3,2 )% من الخارصین مع ا ا زحة في ا زویة الحیود عند التشویب. أما الأغشیة الملدنة عند درجة ح ا ررة
.Te و ZnTe 573 ) ا ولمشوبة ب 3% فیلاحظ تناقص بالشدة عند الاتجاه [ 111 ] مع ظهور قمم جدیدة ل )K
1100-400 ) وللأغشیة كافة لمعرفة فجوة الطاقة،وطبیعة الانتقال )nm وسجل طیف النفاذیة دالة للطول الموجي
والثوابت البصریة دالة لطاقة الفوتون. وقد شملت الثوابت البصریة حساب معامل الامتصاص ، ومعامل الانكسار. ولقد
وجد ان قیم فجوة الطاقة للانتقال المباشر المسموح تقل مع زیادة نسبة التشویب، اذ كانت قیمتها للانتقال المباشر المسموح
1.585 ) للاغشیة المشوبة 4%، اما التلدین فقد ) eV 1.62 ) بالنسبة الى الأغشیة غیر المشوبة.وتبدأ بالنقصان الى )eV
عمل على زیادة فجوة الطاقة.
الملخص الانجليزي
In this research thin films of (CdTe) have been prepared as pure and doped by Zn
with different ratios (1,2,3,4,5)% at thickness (400+25)nm with deposition rate (2±0.1)nm ,
deposited on glass substrate at R.T. by using thermal evaporation in vacuum . All samples
were annealed at temperature (523,573,623,673)K at 1h.
The structural properties of all prepared thin films, doped and undoped have been
studied by using XRD. The analysis reveals that the structures of the films were
polycrystalline and typed cubic with a preferred orientation along (111) plane for the
undoped films with (2,3)% of zinc , and shifting (2Ɵ) for doped films . The annealing films
at temperature 573 K and Zn:3% show decreasing in intensity at orientation along (111) with
appearing new peaks for ZnTe & Te.
Transmittance sp ectra recorded a function of wavelength (400-1100) nm for all films
in order to calculate (know) the energy gap, kind of transitions and optical constants like
absorption coefficient, refractive index as a function of photon energy.
It is found that the energy gap for the allowed direct transition decreases as the
doping percentage increase, such that its value for allowed direct transition was (1.62) eV
for pure thin films , it decreased to (1.585) eV when it dop ed with 4% . It is found that the
annealing process increases the energy gap.
د.سرمد مهدي علي | Dr. Sarmad Mahdi Ali | 1218