عنوان المقالة:الخصائص الهيكلية ومورفولوجية والطيفية لاغشية الفوليرينات (C60) الرقيقة المحضرة بطريقة الترسيب بالرش الكهربائي Structural, Morphological, and Spectroscopical Properties of Fullerenes (C60) Thin Film Prepared via Electrospray Deposition
تم تحضير أغشية رقيقة من الفوليرينات (C60) من خلال مجموعة جديدة من طرق نبضة الليزر والرش الكهربائي باستخدام أقطاب البطاريات المستهلكة. تم دراسة تأثير الجهد الكهربائي المطبق باستخدام عملية الرش الكهربائي من خلال التحليلات الهيكلية والطيفية والبصرية. تم فحصها باستخدام حيود الأشعة السينية ، والمجهر الإلكتروني لمسح انبعاث المجال ، والتحليل الطيفي المشتت للطاقة ، وتقنيات التلألؤ الضوئي. على وجه الخصوص ، باستخدام علاقة Williamson-Hall ، تم تقدير متوسط الحجم البلوري للجسيمات النانوية المحضرة حيث وجد في حدود 41.46-111.84 نانومتر. بينما أظهرت العينة المعالجة بـ 5.6 كيلو فولت من الجهد الكهربائي حجم جسيم يبلغ 6.35 نانومتر باستخدام تقنية FESEM مقارنة بـ 7.4 نانومتر للعينة المحضرة تحت الجهد الحر. يُعتقد أن الجهد الكهربائي المطبق يلعب دورًا حيويًا في تقليل حجم الجسيمات والذي يوفر بدوره مسارًا بديلاً لتصنيع التصميم الإلكتروني البصري في المستقبل.
Abstract
Fullerenes (C60) thin film was prepared via a novel combination of laser pulsed and electrospray methods using wasted batteries’ electrodes as precursor. The effect of the applied electric potential using electrospray process was investigated through structural, morphological and optical analyses. These in turn were examined using x-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, and photoluminescence techniques. In particular, using Williamson-Hall relation, the average crystallite size of the prepared nanoparticles was estimated in which it was found in the range of 41.46-111.84 nm. While sample treated with 5.6 kV of electric potential exhibited particle size of 6.35 nm using FESEM technique as compared to 7.4 nm for sample prepared under free potential. It is believed that the applied electric potential plays a vital role in reducing the particle size which in turn provides an alternative pathway for fabricating future optoelectronic design.
د. مازن عبد الحميد عبد القادر الآلوسي | Mazin A. Al-alousi | 8784