عنوان المقالة: Optoelectronic properties of porous silicon heterojunction photodetector
الاستاذ الدكتور نادر فاضل حبوبي | Prof. Dr.Nadir Fadhil Habubi | 7638
نوع النشر
مجلة علمية
المؤلفون بالعربي
حسن عبد الصاحب هادي , رائد عبد الوهاب اسماعيل, نادر فاضل حبوبي
المؤلفون بالإنجليزي
H A Hadi 1, R A Ismail and N F Habubi1
الملخص الانجليزي
In this paper, formation of a nano-crystaline porous silicon layer on n-type and P-type crystalline Si substrates prepared by the electrochemical etching and photo-electrochemical etching techniques (in order to fabricate heterojunc- tions photodetector) has been studied. The fabricated Al/PS/n-Si/Al photodetector has responsivity to white light higher than that for Al/PS/p-Si/Al photodetector. The values of minority carrier life time obtained are 125 and 208 ls for junctions made on n-type silicon substrates at etching time of 5 and 10 min respectively. While, junctions made on p-type silicon substrates prepared at the same etching time have life time of 83–113 ls
تاريخ النشر
12/01/2014
الناشر
Indian journal of Physics
رقم المجلد
88
رقم العدد
1
رابط DOI
DOI 10.1007/s12648-013-0375-4
الصفحات
59-63
رابط الملف
تحميل (0 مرات التحميل)
الكلمات المفتاحية
Nano-structure; Porous silicon; Electrochemical etching; OCVD; Heterojunction; Minority carrier life time
رجوع