عنوان المقالة: Optoelectronic properties of porous silicon heterojunction photodetector
الاستاذ الدكتور نادر فاضل حبوبي | Prof. Dr.Nadir Fadhil Habubi | 7638
- نوع النشر
- مجلة علمية
- المؤلفون بالعربي
- حسن عبد الصاحب هادي , رائد عبد الوهاب اسماعيل, نادر فاضل حبوبي
- المؤلفون بالإنجليزي
- H A Hadi 1, R A Ismail and N F Habubi1
- الملخص الانجليزي
- In this paper, formation of a nano-crystaline porous silicon layer on n-type and P-type crystalline Si substrates prepared by the electrochemical etching and photo-electrochemical etching techniques (in order to fabricate heterojunc- tions photodetector) has been studied. The fabricated Al/PS/n-Si/Al photodetector has responsivity to white light higher than that for Al/PS/p-Si/Al photodetector. The values of minority carrier life time obtained are 125 and 208 ls for junctions made on n-type silicon substrates at etching time of 5 and 10 min respectively. While, junctions made on p-type silicon substrates prepared at the same etching time have life time of 83–113 ls
- تاريخ النشر
- 12/01/2014
- الناشر
- Indian journal of Physics
- رقم المجلد
- 88
- رقم العدد
- 1
- رابط DOI
- DOI 10.1007/s12648-013-0375-4
- الصفحات
- 59-63
- رابط الملف
- تحميل (0 مرات التحميل)
- الكلمات المفتاحية
- Nano-structure; Porous silicon; Electrochemical etching; OCVD; Heterojunction; Minority carrier life time